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SI7489DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:100V 电流:28A
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- 描述
- 特性：符合 IEC 61249-2-21 的无卤产品。TrenchFET 功率 MOSFET
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7489DP-T1-GE3
- 商品编号
- C499484
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,7.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET