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SI7465DP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Power MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07mm
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7465DP-T1-GE3
- 商品编号
- C499482
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
用于开关应用的MOSFET如今已能实现约1mΩ的管芯导通电阻，并具备处理85A电流的能力。尽管这些管芯性能相较于几年前已有重大提升，但功率MOSFET封装技术也需跟上步伐。显然，封装导致高性能管芯性能下降是不可取的。PowerPAK是一种解决这些问题的新型封装技术。
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07mm