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SIR690DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:34.4A
- 描述
- 特性：ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss之间的平衡。 100%进行Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换器。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR690DP-T1-GE3
- 商品编号
- C499525
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.935nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31.9pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE55P04S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -55V，漏极电流（ID） = -4A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 82 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器