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SIR690DP-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR690DP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:200V 电流:34.4A

描述
特性:ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss之间的平衡。 100%进行Rg和UIS测试。应用:DC/DC转换器。 初级侧开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR690DP-T1-GE3
商品编号
C499525
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.133克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)34.4A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
耗散功率(Pd)6.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)23.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.935nF
反向传输电容(Crss)31.9pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE55P04S采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用。

商品特性

  • ThunderFET® 技术优化了RDS(ON)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
  • 100%进行 Rg 和 UIS 测试

应用领域

-DC/DC 转换器-初级侧开关-同步整流-DC/AC 和逆变器-电池保护

数据手册PDF