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SI1022R-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:330mA
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 低导通电阻：1.25 Ω。 低阈值：2.3 V。 低输入电容：30 pF。 快速开关速度：25 ns。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等。 电池供电系统
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1022R-T1-GE3
- 商品编号
- C499479
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 130mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |