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PTD60N02A
20V/60A N沟道高级功率MOSFET
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- 描述
- 特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。 100%雪崩测试。应用：功率因数校正（PFC）。 开关电源（SMPS）
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD60N02A
- 商品编号
- C48782890
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@2.5V；3.7mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 218pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 407pF |
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