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PT8810A
双N沟道MOSFET
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。具备ESD保护功能。该器件适用于作为单向或双向负载开关，得益于其共漏极配置。
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PT8810A
- 商品编号
- C48782888
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@1.8V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品特性
- 低栅漏电荷，降低开关损耗
- 全面表征电容，包括有效输出电容Coss，简化设计
- 全面表征雪崩电压和电流
应用领域
- 高频DC-DC转换器