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PT2301C
-15V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PT2301C
- 商品编号
- C48782887
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 293pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 304pF |
商品概述
PT2301C采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -15V,ID = -2.6A
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 130 mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 75 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
应用领域
- PWM应用
- 负载开关