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PTM12P16
P沟道高级功率MOSFET
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- 描述
- 特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTM12P16
- 商品编号
- C48782882
- 商品封装
- DFN2X2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品特性
- 改善的 dv/dt 能力,高耐用性
- 最高结温范围(150°C)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理