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CD4014BM96

推挽式输出并行或串行至串行移位寄存器

描述: CD4014B CMOS 8 级静态移位寄存器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: CD4014BM96
商品编号: C496106
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.185克(g)

商品参数

商品概述

这是高压型8级CMOS静态移位寄存器，包含CD4014B和CD4021B两个系列。CD4014B支持同步并行输入或串行输入/串行输出；CD4021B支持异步并行输入或同步串行输入/串行输出。两种系列均为8级并行或串行输入/串行输出寄存器，具备公共时钟和并行/串行控制输入、单个串行数据输入，每个寄存器级都有独立的并行输入，每个寄存器级为D型主从触发器。除第8级可输出外，第6级和第7级也可输出Q信号。CD4014B的并行输入和串行输入均在时钟线正跳变时同步进入寄存器；CD4021B的串行输入与时钟同步，并行输入为异步输入。两种类型的输入均由并行/串行控制输入控制，当并行/串行控制输入为低电平时，数据在时钟线正跳变时同步串行移入8级寄存器；当并行/串行控制输入为高电平时，数据通过并行输入线送入寄存器。CD4021B进行异步并行输入时，会强制内部级的时钟输入，允许多个芯片组合实现寄存器扩展。产品提供多种封装，包括16脚密封双列直插陶瓷封装、16脚双列直插塑料封装、16脚小外形封装、16脚薄型收缩小外形封装。

商品特性

中速运行，VDD - VSS=10V时典型时钟速率为12MHz
支持全静态运行
内置8个主从触发器，搭配输出缓冲和控制门控
20V下100%测试静态电流
全封装温度范围内，18V下最大输入电流为1μA；25℃、18V下最大输入电流为100nA
全封装温度范围内，噪声容限：VDD=5V时为1V，VDD=10V时为2V，VDD=15V时为2.5V
输出特性标准化、对称
支持5V、10V、15V参数额定值
满足JEDEC B系列CMOS器件描述标准规范的全部要求
直流电源电压范围为-0.5V~+20V
所有输入的电压范围为-0.5V~VDD+0.5V
任意单个输入的直流输入电流最大为10mA
封装功率损耗范围：环境温度-55℃~+100℃时为500mW，环境温度+100℃~+125℃时按12mW/℃线性降额至200mW
每个输出晶体管的器件损耗在全封装温度范围内最大为100mW
存储温度范围为-65℃~+150℃
焊接时，距离壳体1.59±0.78mm处，引脚最长焊接10秒时最高温度为265℃

应用领域

并行输入/串行输出数据排队
并行到串行数据转换
用作通用寄存器

	属性	参数值
	商品目录	移位寄存器
	功能	并行或串行至串行
	工作电压	3V~18V
	时钟频率(fc)	17MHz
	元件数	1
	输出类型	推挽式
	系列	4000B
	耗散功率(Pd)	500mW

	属性	参数值
	传播延迟(tpd)	60ns@15V,50pF
	输出电流	6.8mA
	分辨率(位)	8
	输入类型	-
	灌电流(IOL)	1mA
	拉电流(IOH)	1mA
	工作温度	-55℃~+125℃
	功能特性	-