温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD294A-VB
N沟道；电压：100V；电流：55A；导通电阻：11.5(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；100V；55A；RDS(ON)=11.5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.8V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOD294A-VB
- 商品编号
- C47993878
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 中间DC/DC电源中的有源钳位
- 照明应用中的H桥高端开关