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aon2411-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-10A；导通电阻：20(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)；P—Channel沟道；-20V；-10A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-0.6V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- aon2411-VB
- 商品编号
- C47993877
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性
- 完整表征电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS指令2002/95/EC