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MPF09N20A
N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：230mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MPF09N20A
- 商品编号
- C47361027
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用Cmos先进的沟槽技术工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 200V、9A,RDS(ON)(典型值)= 0.23Ω(VGS = 10V 时)
- 低 Crss
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器
- 不间断电源(UPS)