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MJQ29N50
N沟道 耐压:500V 电流:29A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：29A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：113mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJQ29N50
- 商品编号
- C47361034
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.446nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.31pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品特性
- 500V、29A,RDS(ON)(典型值)= 113 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 先进的超结技术
- 栅极开关易于控制
- 经过 100% 雪崩测试
应用领域
- 电脑电源和 PD 适配器
- LCD 与 PDP 电视及 LED 照明
- 单端反激或双晶体管正激拓扑