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MJQ30N65F

耐压:650V 电流:30A

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描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MJQ30N65F
商品编号
C47361042
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.62克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)277.8W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58.3nC
输入电容(Ciss)2.566nF
反向传输电容(Crss)1.8pF
工作温度-
配置半桥
类型-
输出电容(Coss)90.8pF

商品特性

  • 650V、30A,RDS(ON)(典型值)= 105 mΩ(VGS = 10 V 时)
  • 先进的超结技术
  • 易于控制栅极开关
  • 经过 100% 雪崩测试

应用领域

  • 服务器电源和电信电源
  • 电动汽车充电、太阳能逆变器和 UPS 应用
  • 升压 PFC 开关、半桥或不对称半桥
  • 串联谐振半桥和全桥拓扑

数据手册PDF