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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MJQ54N65

N沟道 耐压:650V 电流:54A

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描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):54A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MJQ54N65
商品编号
C47361043
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.623333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)54A
导通电阻(RDS(on))68mΩ@10V
耗散功率(Pd)246W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@2250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)93.2nC@10V
输入电容(Ciss)4.406nF
反向传输电容(Crss)2.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)267pF

商品特性

  • 650V、8A,RDS(ON)(典型值)= 0.50 Ω(VGS = 10 V 时)
  • 先进的超结技术
  • 易于控制栅极开关
  • 经过 100% 雪崩测试

应用领域

  • PD 适配器
  • LCD 与 PDP 电视及 LED 照明
  • 升压 PFC 开关、单端反激或双晶体管正激拓扑

数据手册PDF