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MJF28N60
耐压:600V 电流:28A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：28A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJF28N60
- 商品编号
- C47361037
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.59nC@13V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.389nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.07pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 218pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用TrueSemi先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
商品特性
- 600V、28A,在VGS = 10V时,RDS(on)(典型值) = 120 mΩ
- 先进的超结技术
- 易于控制栅极开关
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 个人电脑电源、服务器电源和电信电源
- 适配器、液晶和等离子电视、LED照明和不间断电源应用
- 升压功率因数校正开关、单端反激或双晶体管正激、半桥或不对称半桥或串联谐振半桥拓扑