商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.566nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90.8pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 650V、30A,VGS = 10 V 时,RDS(ON)(典型值) = 105 mΩ
- 先进的超结技术
- 栅极开关易于控制
- 经过 100% 雪崩测试
应用领域
- 服务器电源和电信电源
- 电动汽车充电、太阳能逆变器和 UPS 应用
- 升压 PFC 开关、半桥或不对称半桥
- 串联谐振半桥和全桥拓扑