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MJQ28N60
N沟道 耐压:605V 电流:28A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：28A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJQ28N60
- 商品编号
- C47361038
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.873333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 605V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.389nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.07pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 218pF |
商品特性
- 600V、28A,RDS(on)(典型值)= 120 mΩ(VGS = 10 V时)
- 先进的超结技术
- 栅极开关易于控制
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 个人电脑电源、服务器电源和电信电源
- 适配器、液晶与等离子电视、LED照明和UPS应用
- 升压PFC开关、单端反激或双晶体管正激、半桥或不对称半桥或串联谐振半桥拓扑