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MJF29N50
N沟道 耐压:500V 电流:29A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：29A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：113mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MJF29N50
- 商品编号
- C47361033
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32.9nC@13V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.446nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.31pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- 35A、500V，最大RDS（on）=0.155Ω
- 低栅极电荷：Qg=142nC（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件