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IRFBC40APBF
1个N沟道 耐压:600V 电流:6.2A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷Qg，驱动要求简单。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 完全表征了电容、雪崩电压和电流。 指定了有效的Coss。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：开关模式电源（SMPS）。 不间断电源
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBC40APBF
- 商品编号
- C466976
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.761克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.036nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 136pF |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 低栅极电荷 Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 明确规定了有效输出电容 Coss
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关