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FGA25N120ANTDTU
1200V、25A非穿通型（NPT）沟槽绝缘栅双极晶体管（IGBT） 停产
- 描述
- 采用安森美半导体专有的沟槽设计和先进的非穿通（NPT）技术，这款1200V NPT绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备出色的导通和开关性能、高雪崩耐量，且易于并联工作。该器件非常适合谐振或软开关应用，如感应加热、微波炉等。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGA25N120ANTDTU
- 商品编号
- C462124
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 输出电容(Coes) | 130pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 150A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.65V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.7nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 50ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 190ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 960uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 350ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 80pF |