IGT65R045D2ATMA1

增强型氮化镓功率晶体管，适用于高效功率转换系统

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IGT65R045D2ATMA1
商品编号: C42669719
商品封装: PG-HSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

英飞凌的 CoolGaN™ 是一款高效氮化镓晶体管，专为 650 V 功率转换而设计。它能实现更高的功率密度，有助于降低系统物料清单成本，并促进小型化的外形设计。该产品采用 200 毫米晶圆技术和全自动化生产线制造，具有严格的生产公差和最高的产品质量。这使其适用于从消费电子到工业应用在内的广泛领域。

商品特性

增强型晶体管
超快开关速度
无反向恢复电荷
具备反向导通能力
低栅极电荷和输出电荷
卓越的换向鲁棒性
符合 2 kV 人体模型静电放电标准

应用领域

工业应用
电信设备
数据中心
充电器与适配器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	38A
	耗散功率(Pd)	131W
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V

	属性	参数值
	数量	1个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	6nC
	输入电容(Ciss)	430pF
	反向传输电容(Crss)	0.98pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	72pF
	导通电阻(RDS(on))	45mΩ