- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG65R010M2H
采用第二代硅碳化物沟槽技术的碳化硅MOSFET，具备低开关损耗和稳健栅极操作
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R010M2H
- 商品编号
- C42670689
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 158A | |
| 耗散功率(Pd) | 535W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.001nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 386pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.1mΩ |
商品特性
- 超低开关损耗
- 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
- 即使在关断栅极电压为0V时也能稳健抵抗寄生导通
- 灵活的驱动电压，兼容双极性驱动方案
- 在硬换向事件下具有稳健的体二极管运行特性
- 采用.XT互连技术，实现卓越的热性能
应用领域
- 开关模式电源
- 太阳能光伏逆变器
- 能量存储和电池化成
- 不间断电源
- 电动汽车充电基础设施
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- IP610-X60
- IPB038N15NM6ATMA1
- IPB051N15NM6ATMA1
- IPD040N03LF2SATMA1
- IPF018N10NM5LF2ATMA1
- IPF036N15NM6ATMA1
- IPTC034N15NM6ATMA1
- 2320179-2
- 2321920-7