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IMYR140R019M2HXLSA1
碳化硅MOSFET，具备XT互连技术、低开关损耗、抗寄生导通和坚固体二极管特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMYR140R019M2HXLSA1
- 商品编号
- C42670752
- 商品封装
- TO247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.4kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 385W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 99pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ |
商品概述
引脚定义：
- 引脚 1 - 漏极
- 引脚 2 - 源极
- 引脚 3 - 开尔文检测触点
- 引脚 4 - 栅极
注意：源极和检测引脚不可互换，互换可能导致故障
商品特性
- 在结温 Tᵥⱼ = 25°C 时，漏源极击穿电压 V_DSS = 1400 V
- 在壳温 T_C = 100°C 时，直流漏极电流 I_DDC = 71 A
- 在栅源电压 V_GS = 18 V、结温 Tᵥⱼ = 25°C 时，导通电阻 R_DS(on) = 19 mΩ
- 极低的开关损耗
- 封装背面适合在 260°C 下进行 3 次回流焊接
- 可在结温 Tᵥᵢ 高达 200°C 时进行过载操作
- 短路耐受时间为 2 μs
- 基准栅极阈值电压 V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用 .XT 互连技术，具备一流的热性能
- 宽功率引脚（2 mm），具备高电流承载能力
- 引脚可电阻焊接，可直接连接母线
- TO247PLUS 封装，爬电距离达 10.8 mm，相比漏电起痕指数 CTI ≥ 600 V
应用领域
- 商用、建筑和农业车辆（CAV）
- 电动汽车充电
- 在线式 UPS / 工业 UPS
- 组串式逆变器
- 储能系统（ESS）
- 通用驱动器（GPD）