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IMZC120R040M2HXKSA1
1200V SiC MOSFET G2
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，TVj = 25℃。 IDDC = 34 A，TC = 100℃。 RDSS(on) = 40 mΩ，VGS = 18 V，TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZC120R040M2HXKSA1
- 商品编号
- C42670758
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 耗散功率(Pd) | 218W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ |
商品特性
- 漏源击穿电压V_DSS = 1200 V（结温T_Vj = 25℃）
- 连续漏极电流I_DDC = 34 A（壳温T_C = 100℃）
- 导通电阻R_DS(on) = 40 mΩ（栅源电压V_GS = 18 V，结温T_Vj = 25℃）
- 极低的开关损耗
- 过载工作结温可达T_Vj = 200℃
- 短路耐受时间2 μs
- 基准栅极阈值电压V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加0 V关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用.XT互连技术，实现卓越的热性能
应用领域
- 通用驱动器
- 电动汽车充电
- 在线式不间断电源/工业不间断电源
- 组串式逆变器
- 储能系统
- 焊接设备