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IMBG65R033M2H
基于碳化硅沟槽技术的650V SiC MOSFET，具备超低开关损耗、高可靠性和易用性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R033M2H
- 商品编号
- C42670690
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.214nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 117pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ |
- IMCQ120R007M2HXTMA1
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- IP610-X60
- IPB038N15NM6ATMA1
- IPB051N15NM6ATMA1
- IPF018N10NM5LF2ATMA1
- IPF036N15NM6ATMA1
- IPTC034N15NM6ATMA1
- 2320179-2
- 2321920-7
- ISOM8110DFHR
- ISOM8113DFHRQ1