- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMCQ120R078M2HXTMA1
高压碳化硅MOSFET，采用Q-DPAK封装和顶部冷却
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- 商品编号
- C42670707
- 商品封装
- PG-HDSOP-22-U03
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78.1mΩ |
商品概述
引脚定义：引脚1为栅极，引脚2为驱动源极接触点，引脚3至11为源极，引脚12至22及散热片为漏极。注意：源极引脚和检测引脚不可互换，互换可能导致器件故障。
商品特性
- V_DSS = 1200 V，T_vj = 25°C
- I_DDC = 22 A，T_C = 100°C
- R_DS(on) = 78.1 mΩ，V_GS = 18 V，T_vj = 25°C
- 极低的开关损耗
- 过载工作结温可达 T_vj = 200°C
- 短路耐受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加0 V关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用.XT互连技术，实现散热性能
应用领域
- 固态断路器/固态继电器
- 电动汽车充电
- 在线式不间断电源/工业不间断电源
- 组串式逆变器
- 通用驱动器
- 伺服驱动器
- IMT65R010M2HXUMA1
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- IMZA65R033M2HXKSA1
- IMZC120R040M2HXKSA1
- IP610-X60
- IPB038N15NM6ATMA1
- IPB051N15NM6ATMA1
- IPF018N10NM5LF2ATMA1
- IPF036N15NM6ATMA1
- IPTC034N15NM6ATMA1
- 2320179-2
- 2321920-7
- ISOM8110DFHR
- ISOM8113DFHRQ1
- ISOM8115DFHR
- ISOM8115DFHRQ1
- ISOM8116DFHR