温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMT65R026M2HXUMA1
碳化硅MOSFET，基于第二代沟槽技术，具有低开关损耗和高可靠性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMT65R026M2HXUMA1
- 商品编号
- C42670744
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 耗散功率(Pd) | 365W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.499nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 144pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ |
商品概述
基于英飞凌稳健的第二代碳化硅沟槽技术，650 V CoolSiC MOSFET 提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现高性价比、高效率且简化的设计，以满足不断增长的系统与市场需求。
商品特性
- 超低开关损耗
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V
- 即使关断栅极电压为0V，也能稳健抵抗寄生导通
- 灵活的驱动电压，兼容双极性驱动方案
- 在硬换流事件下具有稳健的体二极管运行特性
- 采用.XT互连技术，实现一流的散热性能
应用领域
- 开关电源
- 太阳能光伏逆变器
- 储能和电池化成
- 不间断电源
- 电动汽车充电基础设施
- IMT65R040M2HXUMA1
- IMW65R010M2HXKSA1
- IMYR140R019M2HXLSA1
- IMZA65R026M2HXKSA1
- IMZA65R033M2HXKSA1
- IMZC120R040M2HXKSA1
- IP610-X60
- IPB038N15NM6ATMA1
- IPB051N15NM6ATMA1
- IPF018N10NM5LF2ATMA1
- IPF036N15NM6ATMA1
- IPTC034N15NM6ATMA1
- 2320179-2
- 2321920-7
- ISOM8110DFHR
- ISOM8113DFHRQ1
- ISOM8115DFHR
- ISOM8115DFHRQ1
- ISOM8116DFHR
- ISOM8117DFHR
- IT258