- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMCQ120R007M2HXTMA1
碳化硅 MOSFET 第二代，采用Q-DPAK顶部冷却封装
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMCQ120R007M2HXTMA1
- 商品编号
- C42670704
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 257A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.172kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 197.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 287pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ |
商品特性
- 漏源击穿电压 V_DSS = 1200 V，结温 T_vj = 25°C
- 连续漏极电流 IDDC = 181 A，壳温 T_C = 100°C
- 导通电阻 R_DS(on) = 7.5 mΩ，栅源电压 V_GS = 18 V，结温 T_vj = 25°C
- 极低的开关损耗
- 过载运行结温可达 T_vj = 200°C
- 短路耐受时间 2 μs
- 基准栅极阈值电压 V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加 0 V 关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用 .XT 互连技术，实现的散热性能
- 可在英飞凌官网查找合适的栅极驱动器
应用领域
- 固态断路器 / 固态继电器
- 电动汽车充电
- 在线式不间断电源 / 工业用不间断电源
- 组串式逆变器
- 通用驱动器
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- IP610-X60
- IPB038N15NM6ATMA1
- IPB051N15NM6ATMA1
- IPF018N10NM5LF2ATMA1
- IPF036N15NM6ATMA1
- IPTC034N15NM6ATMA1
- 2320179-2
- 2321920-7
- ISOM8110DFHR
- ISOM8113DFHRQ1
- ISOM8115DFHR