- 引脚图
- 焊盘图
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IGT65R055D2XTMA1
用于功率转换的增强型模式氮化镓晶体管，具有超快开关和无反向恢复电荷特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGT65R055D2XTMA1
- 商品编号
- C42669721
- 商品封装
- PG-HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ |
商品概述
CoolGaN™ 是一款高效氮化镓晶体管，专为 650 V 功率转换设计。它能够实现更高的功率密度，支持降低系统物料清单成本，并有助于实现小型化外形尺寸。该产品采用 200 毫米晶圆技术和全自动化生产线制造，具有严格的生产公差和最高的产品质量。这使其适用于从消费电子到工业应用的广泛领域。
商品特性
- 增强型晶体管
- 超快开关速度
- 无反向恢复电荷
- 具备反向导通能力
- 低栅极电荷和输出电荷
- 卓越的换向鲁棒性
- 符合 2 kV HBM ESD 标准
应用领域
- 工业开关电源
- 电信开关电源
- 数据中心开关电源
- 充电器
- 适配器
- 2211135000
- IKHBH
- IMBG65R010M2H
- IMBG65R033M2H
- IMCQ120R007M2HXTMA1
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- IMT65R010M2HXUMA1
- IMT65R026M2HXUMA1
- IMT65R040M2HXUMA1
- IMW65R010M2HXKSA1
- IMYR140R019M2HXLSA1
- IMZA65R026M2HXKSA1
- IMZA65R033M2HXKSA1
- IMZC120R040M2HXKSA1
- IP610-X60
- IPB038N15NM6ATMA1
- IPB051N15NM6ATMA1
- IPF018N10NM5LF2ATMA1
- IPF036N15NM6ATMA1
- IPTC034N15NM6ATMA1