HBDFN2C051V

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：5.5A@8/20us

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）设计用于提供精准的过电压保护，具有6.5安培的峰值脉冲电流IPP承载能力，以及5伏特的工作电压VRWM，确保在各种环境下的稳定性能。其极低的10皮法CJ电容值，使得该元件非常适合应用于对信号完整性要求高的高速线路中。作为单通道双向TYPE Bi设备，它能够有效抑制正反两个方向上的瞬态过电压，保护敏感电路免受静电放电（ESD）和其他瞬态事件的影响，适用于诸如消费电子产品的数据接口等需要精细保护的应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HBDFN2C051V
商品编号: C42416221
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.010769克(g)

商品参数