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D3V3F4U10LP-7-HXY

ESD 3.3V截止

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描述: 此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于各类电子设备中的过电压保护。其最大脉冲峰值电流IPP为4A，能有效抵御瞬时高能量冲击。反向工作电压VRWM为3.3V，确保在低电压应用场景下的稳定性与可靠性。结电容CJ低至0.6皮法（pF），几乎不影响信号完整性，非常适合高速线路的保护需求。该产品设计有4个通道，可同时保护多条线路免受静电放电和瞬态电压的损害。作为单向（Uni-directional）保护元件，它仅在正向过电压情况下导通，提供精准的保护机制，确保连接设备的安全运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: D3V3F4U10LP-7-HXY
商品编号: C42416632
商品封装: DFN2510-10
包装方式: 编带
商品毛重: 0.019655克(g)

商品参数

商品概述

D3V3F4U10LP - 7是一款4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为GND）与系统接地相连。正ESD电流通过ESD二极管和齐纳二极管导向地，正ESD电压被钳位到齐纳电压。封装为DFN2510 - 10L。

商品特性

4通道ESD保护
提供符合IEC61000 - 4 - 2 4级的ESD保护
±15kV空气放电
±10kV接触放电
通道I/O到GND电容：最大0.55pF
通道I/O到I/O电容：最大0.6pF
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化封装，便于高速数据线PCB布局
符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	20V
	击穿电压(VBR)	5.6V
	反向电流(Ir)	1uA

	属性	参数值
	通道数	四路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.6pF