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VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY
单向ESD 3.3V截止
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- 描述
- 这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别，采用Bi双向设计，提供单通道保护。它拥有4A的IPP峰值脉冲电流承受能力，适用于应对突发的电压浪涌。其工作电压（VRWM）为3.3V，确保在常规操作电压下保持断开状态，同时能在异常电压出现时迅速响应。该器件的电容值（CJ）仅为0.3pF，对信号的影响几乎可以忽略不计，非常适合高速数据传输或精密电子装置中的应用。它能够有效地保护电路免受静电放电和其他瞬态过电压事件的影响，保障设备的稳定运行与数据传输的安全性。
- 商品型号
- VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY
- 商品编号
- C42416212
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010513克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.3pF |
商品概述
VBUS03N1-DD1-G3-08可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。 它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触），±15kV（空气）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：100W（8/20μs）
- 工作电压：3.3V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 封装：DFN1006 - 2L（DFN1006 - 2B）
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