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VESD12C1-HD1-G3-08-HXY
单向ESD 12V截止
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- 描述
- 这款静电和浪涌保护器件，属于TVS/ESD保护类别，具有4A的峰值脉冲电流IPP承载能力，能在瞬间过压事件中提供有效防护。其反向工作电压VRWM为12V，确保在正常操作电压下保持非导通状态，同时避免了不必要的触发。电容CJ为28皮法，适用于对电容敏感度较低的应用场景，能够在不影响信号质量的情况下提供保护。采用单通道LINE设计，并且是Uni单向类型，使得它特别适合用于需要单向保护的接口线路，如消费电子产品中的数据传输线或通信端口，确保设备在面对静电放电和其他瞬态电压时的安全与稳定。
- 商品型号
- VESD12C1-HD1-G3-08-HXY
- 商品编号
- C42416214
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V | |
| 钳位电压 | 26V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W@8/20us | |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 28pF |
商品概述
VESD12C1-HD1-G3-08可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它为设计师在不适用阵列的应用中保护一条单向线路提供了灵活性。
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触），±15kV（空气）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
- 峰值功率耗散：150W（8/20μs）
- 工作电压：12V
- 超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
- 保护一条数据、控制线
- 低电容：45pF（典型值）
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- DFN1006 - 2L（DFN1006 - 2A）
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