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DMG1012T-7(ES)实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DMG1012T-7(ES)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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描述
DMG1012T - 7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
DMG1012T-7(ES)
商品编号
C42412320
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.026767克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.2A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@4.5V；200mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)230mW
阈值电压(Vgs(th))650mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1nC@4.5V
输入电容(Ciss)60pF
反向传输电容(Crss)12pF
类型N沟道
输出电容(Coss)22pF

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