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HSISH101DNT1GE3
无 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有70A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），适用于多种中高功率电源管理场景。导通电阻低至6.5mΩ（RDON），有助于减少导通损耗，提升整体能效。支持最高20V的栅源电压（VGS），确保器件在复杂环境下稳定工作。该MOSFET适用于电源转换器、电池保护电路、负载开关以及各类高效节能的电子系统，提供高性能的功率控制能力。
- 商品型号
- HSISH101DNT1GE3
- 商品编号
- C42401080
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067839克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 80 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 7 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的出色封装。