温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HGTP7N60A4
N沟道IGBT，结合MOSFET和双极晶体管特性，适用于高频高压开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTP7N60A4
- 商品编号
- C442451
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.896克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 34A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 56A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 250uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@15V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 11ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 100ns | |
| 导通损耗(Eon) | 50uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 125uJ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |