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CS45N06A4
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS45N06A4
- 商品编号
- C442411
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43.45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.876nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CS45N06 A4是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和脉宽调制（PWM）应用。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 16mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-适配器和充电器的电源开关电路-LED背光驱动器-同步整流