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CS12N06AE-G
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- CS12N06 AE - G是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），它运用高密度沟槽技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS12N06AE-G
- 商品编号
- C442412
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.37nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 123pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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