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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
CS630 A8H是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 0.28Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：13nC）
- 低反向传输电容（典型值：10pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 汽车领域-直流电机控制-D类放大器