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SI4202DY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:9.7A
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 测试。 100% UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：同步降压。 笔记本电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4202DY-T1-GE3
- 商品编号
- C442454
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,5.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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