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CS25N06C4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 36.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 939pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CS25N06 C4 硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用高密度沟槽技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和 PWM 应用。封装形式为 TO - 252，符合 RoHS 标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 29mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
- LED 背光驱动器
- 同步整流