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FGA6560WDF
650V、60A场截止型沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
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- 描述
- 采用新型场截止绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术，全新系列的第三代场截止IGBT为焊机和工业应用提供了最佳性能，在这些应用中，低导通损耗和开关损耗至关重要。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGA6560WDF
- 商品编号
- C444007
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.853克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 306W | |
| 输出电容(Coes) | 82pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.1V@60mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 2.419nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25.6ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 71ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.46mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 520uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 110ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 31pF |
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