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FGA40N65SMD
650V 80A
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGA40N65SMD
- 商品编号
- C444005
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 349W | |
| 输出电容(Coes) | 180pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC | |
| 输入电容(Cies) | 1.88nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 92ns | |
| 导通损耗(Eon) | 820uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 260uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 42ns | |
| 工作温度 | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个30个/管
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