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CS7N70A4R-G
1个N沟道 耐压:700V 电流:7A
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- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS7N70A4R-G
- 商品编号
- C442409
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 960mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.556nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CS7N70 A4R-G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO-252，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 1.15Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：26.5nC）
- 低反向传输电容（典型值：4.7pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 无卤
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。