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CS5N20A4
1个N沟道 耐压:200V 电流:4.8A
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- 描述
- CS5N20 A4是一款采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），它运用自对准平面技术制造，能够降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可应用于各种功率开关电路，有助于实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS5N20A4
- 商品编号
- C442407
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.456克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 490mΩ@10V,2.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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