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FGA60N65SMD
650V
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- 描述
- 安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGA60N65SMD
- 商品编号
- C444004
- 商品封装
- TO-3PN
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 输出电容(Coes) | 270pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 180A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 189nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.915nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 104ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.54mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 450uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 47ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 85pF |
商品概述
飞兆半导体的新型场截止第二代 IGBT 系列产品采用创新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通信电源、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
应用领域
- 光伏逆变器
- UPS
- 焊机
- PFC
- 通信电源
- ESS
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交12单
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