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CMD40DN06
双N 60V 40A
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- 描述
- MOS管，TO-252-4L，双N，耐压：60V，电流：40A，10V内阻：17.5mΩ，4.5V内阻：20mΩ，功率：30W，CISS(Typ)：2450PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD40DN06
- 商品编号
- C41433041
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.45nF |
商品概述
CMD40DN06采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 这些器件特别适用于低电压应用,如手机和笔记本电脑电源管理。
商品特性
- 低导通电阻
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 便携式设备
- 笔记本电脑电源管理