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MPT08N10P

N沟道80A 100V

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,30A
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MPT08N10P
商品编号
C41433064
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.668克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)44.5nC@10V
输入电容(Ciss)2.35nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)670pF

商品特性

  • 表面贴装封装
  • 高功率和大电流处理能力
  • VDS = -12 V,ID = -6 A
  • 在VGS = -4.5 V时,RDS(导通) < 30 mΩ

应用领域

  • 负载开关
  • PWM应用
  • 电源管理

数据手册PDF