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MPT075N10L
N沟道80A 100V
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,50A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT075N10L
- 商品编号
- C41433065
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4341克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.152nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 841pF |
商品概述
MPT075N10是N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟槽技术,可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该器件适用于同步整流和高速开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 同步整流
- 高速开关应用